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Product Catalog
MOSFET
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IGBT
IGBT
GaN
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SiC
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COOLMOS
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应用领域
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新闻资讯
news center
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垂直腔面发射激光器(VCSEL)技术发展
VCSEL的下一轮机遇是具有更高功率要求的LiDAR等汽车应用。这类应用需要使用更大的VCSEL阵列。 “这将需要采购更多的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，以保证制造产能加速跟上LiDAR系统的需求，”Veeco产品营销总监Mark McKee说，“现在的问题是如何实现最高的性能和最高的产率以满足市场需求。这需要基于业界领先的MOCVD技术。关键要求是晶圆表面金属-有机物和氢化物的均
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非气密性SMD器件潮湿敏感度问题
MSD危害作用在焊接、包括维修的加热过程中。 重视并研究MSD问题，对加工、运输、器件选型和仓库管理起指导作用。 技术的进步加深MSD问题 面阵列封装器件(如：BGA ,CSP)使用数量的不断增加。面阵列封装器件趋向于采用卷带封装，每盘卷带可以容纳非常多的器件，这延长了器件的曝露时间。
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非气密性SMD器件潮湿敏感度问题
MSD危害作用在焊接、包括维修的加热过程中。 重视并研究MSD问题，对加工、运输、器件选型和仓库管理起指导作用。 技术的进步加深MSD问题 面阵列封装器件(如：BGA ,CSP)使用数量的不断增加。面阵列封装器件趋向于采用卷带封装，每盘卷带可以容纳非常多的器件，这延长了器件的曝露时间。
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垂直腔面发射激光器(VCSEL)技术发展
VCSEL的下一轮机遇是具有更高功率要求的LiDAR等汽车应用。这类应用需要使用更大的VCSEL阵列。 “这将需要采购更多的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，以保证制造产能加速跟上LiDAR系统的需求，”Veeco产品营销总监Mark McKee说，“现在的问题是如何实现最高的性能和最高的产率以满足市场需求。这需要基于业界领先的MOCVD技术。关键要求是晶圆表面金属-有机物和氢化物的均
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SEMI：第1季度全球硅晶圆出货面积再创历史新高
美国加州时间5月3日，SEMI（国际半导体产业协会）发布最新一季晶圆产业分析报告，报告指出，2021年第1季全球硅晶圆出货面积较2020年第4季增长4%，达到3,337百万平方英寸，超越2018年第3季的历史纪录。2021年首季硅晶圆出货量与比去年同期的2,920百万平方英寸相比，则是上升了14%。
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国家纳米中心等在大面积高光学增益的CSPBBR3单晶薄膜激光器阵列研究中取得进展
铅卤钙钛矿材料具有较高的光吸收系数、载流子迁移率、电荷扩散长度，及较低的缺陷态浓度等优异的光电性质，可用于激光器，发光二极管和光电探测器等。其中，通过溶液旋涂法制备的钙钛矿薄膜被广泛应用于各类光电器件。然而，薄膜钙钛矿存在高密度的晶界，导致较高的缺陷态密度，引起更多的无辐射复合并影响载流子寿命，从而导致器件性能变差。单晶钙钛矿相比于多晶钙钛矿具有更少的缺陷浓度，更大的载流子迁移率，可以进一步提高器
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国家纳米中心等在大面积高光学增益的CSPBBR3单晶薄膜激光器阵列研究中取得进展
铅卤钙钛矿材料具有较高的光吸收系数、载流子迁移率、电荷扩散长度，及较低的缺陷态浓度等优异的光电性质，可用于激光器，发光二极管和光电探测器等。其中，通过溶液旋涂法制备的钙钛矿薄膜被广泛应用于各类光电器件。然而，薄膜钙钛矿存在高密度的晶界，导致较高的缺陷态密度，引起更多的无辐射复合并影响载流子寿命，从而导致器件性能变差。单晶钙钛矿相比于多晶钙钛矿具有更少的缺陷浓度，更大的载流子迁移率，可以进一步提高器
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SEMI：第1季度全球硅晶圆出货面积再创历史新高
美国加州时间5月3日，SEMI（国际半导体产业协会）发布最新一季晶圆产业分析报告，报告指出，2021年第1季全球硅晶圆出货面积较2020年第4季增长4%，达到3,337百万平方英寸，超越2018年第3季的历史纪录。2021年首季硅晶圆出货量与比去年同期的2,920百万平方英寸相比，则是上升了14%。
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国家纳米中心等在大面积高光学增益的CSPBBR3单晶薄膜激光器阵列研究中取得进展
铅卤钙钛矿材料具有较高的光吸收系数、载流子迁移率、电荷扩散长度，及较低的缺陷态浓度等优异的光电性质，可用于激光器，发光二极管和光电探测器等。其中，通过溶液旋涂法制备的钙钛矿薄膜被广泛应用于各类光电器件。然而，薄膜钙钛矿存在高密度的晶界，导致较高的缺陷态密度，引起更多的无辐射复合并影响载流子寿命，从而导致器件性能变差。单晶钙钛矿相比于多晶钙钛矿具有更少的缺陷浓度，更大的载流子迁移率，可以进一步提高器
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SEMI：第1季度全球硅晶圆出货面积再创历史新高
美国加州时间5月3日，SEMI（国际半导体产业协会）发布最新一季晶圆产业分析报告，报告指出，2021年第1季全球硅晶圆出货面积较2020年第4季增长4%，达到3,337百万平方英寸，超越2018年第3季的历史纪录。2021年首季硅晶圆出货量与比去年同期的2,920百万平方英寸相比，则是上升了14%。
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非气密性SMD器件潮湿敏感度问题
MSD危害作用在焊接、包括维修的加热过程中。 重视并研究MSD问题，对加工、运输、器件选型和仓库管理起指导作用。 技术的进步加深MSD问题 面阵列封装器件(如：BGA ,CSP)使用数量的不断增加。面阵列封装器件趋向于采用卷带封装，每盘卷带可以容纳非常多的器件，这延长了器件的曝露时间。
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垂直腔面发射激光器(VCSEL)技术发展
VCSEL的下一轮机遇是具有更高功率要求的LiDAR等汽车应用。这类应用需要使用更大的VCSEL阵列。 “这将需要采购更多的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，以保证制造产能加速跟上LiDAR系统的需求，”Veeco产品营销总监Mark McKee说，“现在的问题是如何实现最高的性能和最高的产率以满足市场需求。这需要基于业界领先的MOCVD技术。关键要求是晶圆表面金属-有机物和氢化物的均
